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高速低耗 三星发表融合型内存OneDRAM
发布日期: 2006-12-16 15:45:18 作者: 来自:小熊在线 字体:【 】【打印本页

    三星电子今天宣布完成融合型内存芯片OneDRAM的开发。

    这款新型内存芯片的频率为133MHz,容量512MB。其显著特性之一,是使得移动设备不再需要同时指定DRAM和SRAM作为缓存,而只通过单个OneDRAM芯片就能完成通讯处理器和媒体处理器之间的数据传输。  

    OneDRAM主要应用于移动电话、游戏平台以及其他数字应用领域,特别是使用3D图形的移动环境,可以显著提高移动设备处理器间的数据传输速率。

    该芯片的主要优点在于:能耗降低30%,节省空间,数据传输速率提高5倍,延长电池使用时间。

    三星预计OneDRAM可在2007年下半年应用于手机产品之上。



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